【IPB034N03L G/规格参数】厂家_IPB034N03L G中文资料_价格

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型号： IPB034N03L G
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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IPB034N03L G产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IPB034N03L G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。提供IPB034N03L G价格参考以及InfineonIPB034N03L G封装/规格参数等产品信息。你可以下载IPB034N03L G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB034N03L G详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 30V 80A TO-263-3MOSFET N-CH 30V 80A 3.4mOhms
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	80 A
Id-连续漏极电流	80 A
品牌	Infineon Technologies
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPB034N03L GOptiMOS™
数据手册	http://www.infineon.com/dgdl/IPP034N03L_rev1.04.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304313b8b5a60113d3c9730503e7
产品型号	IPB034N03L G
Pd-PowerDissipation	94 W
Pd-功率耗散	94 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	3.4 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	3.4 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	30 V
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	6.4 ns
下降时间	5.4 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	5300pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	51nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	3.4 毫欧 @ 30A，10V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	PG-TO263-2
其它名称	IPB034N03LGINCT
典型关闭延迟时间	35 ns
功率-最大值	94W
包装	剪切带（CT）
商标	Infineon Technologies
商标名	OptiMOS
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
封装/箱体	D2PAK-6
工厂包装数量	1000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	80A （Tc）
系列	IPB034N03
通道模式	Enhancement
配置	Single
零件号别名	IPB034N03LGATMA1 SP000304126